當業界在
5G
系統、汽車元件和替代能源系統中推動更高效的高電壓半導體的同時,卻也明顯地提升了測試和研究寬頻帶間隙半導體的複雜性。如果您正在使用如 GaN 和
SiC 等新材料來開發裝置架構、感應器、功率 IC 和功率模組或大規模生產寬頻帶間隙半導體,則您就處於分析和測試這些高電壓、高功率元件的核心,而且執行的時間也相對非常緊迫。
新型
2470 高電壓系統 SourceMeter® SMU 儀器可提供高達
1100 V 的電壓,並具有 10 fA 量測能力。利用其觸控式螢幕使用者介面、程式設計靈活性以及連線能力和擴展功能,您可以更快地從測試結果中獲得深入洞察和確定性,從而提高工作效率。