親愛的 Huang,
由於寬能隙半導體在汽車和工業應用中展現了出色的效能，電力電子技術中使用的半導體材料正從矽材逐漸轉向為此類材料，例如碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。然而，如何使切換損耗降至最低仍是電源裝置工程師所面臨的主要挑戰。這些設計必須經過嚴格的量測，才能確保其相容性。
雙脈衝測試是量測 MOSFET 或 IGBT 功率裝置切換參數的標準方法。根據以往的經驗，這是一個非常耗時的過程。
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